Le choix du SKM75GB063D est stratégique pour quiconque cherche à maximiser le rendement d'un onduleur triphasé ou d'un redresseur commandé. Ce module de commutation rapide combine la simplicité de commande du transistor à effet de champ (MOSFET) avec la faible tension de saturation du transistor bipolaire, offrant le meilleur des deux technologies.
En limitant les pertes lors des phases d'ouverture et de fermeture du circuit, ce double commutateur permet d'augmenter la fréquence de découpage de vos applications. Le résultat direct est une réduction de la taille des composants inductifs et capacitifs périphériques, permettant de concevoir des boîtiers d'alimentation plus compacts et plus légers.
| Type de Composant | Module de puissance IGBT |
| Référence Constructeur | SKM75GB063D |
| Tension d'isolement RMS | 2.5 kV (1 min) |
| Température de jonction maximale | 150 degrés Celsius |
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